STF13N80K5 Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin (3+Tab) TO-220FP Tube
គុណលក្ខណៈផលិតផល
| សហភាពអឺរ៉ុប RoHS | អនុលោមតាមការលើកលែង |
| ECCN (អាមេរិក) | EAR99 |
| ស្ថានភាពផ្នែក | សកម្ម |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | បាទ |
| SVHC លើសកម្រិត | បាទ |
| រថយន្ត | No |
| PPAP | No |
| ប្រភេទផលិតផល | ថាមពល MOSFET |
| ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ | នៅលីវ |
| បច្ចេកវិទ្យាដំណើរការ | SuperMESH |
| របៀបឆានែល | ការលើកកម្ពស់ |
| ប្រភេទឆានែល | N |
| ចំនួនធាតុក្នុងមួយបន្ទះឈីប | 1 |
| វ៉ុលប្រភពបង្ហូរអតិបរមា (V) | ៨០០ |
| វ៉ុលប្រភពច្រកទ្វារអតិបរមា (V) | ±30 |
| វ៉ុលច្រកទ្វារអតិបរមា (V) | 5 |
| សីតុណ្ហភាពប្រសព្វប្រតិបត្តិការ (°C) | ពី 55 ទៅ 150 |
| ចរន្តបង្ហូរបន្តអតិបរមា (A) | 12 |
| ប្រភពច្រកទ្វារអតិបរមាលេចធ្លាយបច្ចុប្បន្ន (nA) | ១០០០០ |
| IDSS អតិបរមា (uA) | 1 |
| ភាពធន់នៃប្រភពបង្ហូរអតិបរមា (mOhm) | 450@10V |
| ការគិតថ្លៃតាមច្រកទ្វារធម្មតា @ Vgs (nC) | 27@10V |
| ការសាកតាមច្រកទ្វារធម្មតា @ 10V (nC) | 27 |
| សមត្ថភាពបញ្ចូលធម្មតា @ Vds (pF) | 870@100V |
| ការបញ្ចេញថាមពលអតិបរមា (mW) | ៣៥០០០ |
| ពេលវេលាធ្លាក់ធម្មតា (ns) | 16 |
| ពេលវេលាកើនឡើងធម្មតា (ns) | 16 |
| ពេលវេលាពន្យាពេលបិទធម្មតា (ns) | 42 |
| ពេលវេលាពន្យាពេលបើកធម្មតា (ns) | 16 |
| សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការអប្បបរមា (°C) | -៥៥ |
| សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការអតិបរមា (°C) | ១៥០ |
| កម្រិតសីតុណ្ហភាពអ្នកផ្គត់ផ្គង់ | ឧស្សាហកម្ម |
| ការវេចខ្ចប់ | បំពង់ |
| វ៉ុលប្រភពច្រកទ្វារវិជ្ជមានអតិបរមា (V) | 30 |
| វ៉ុលបញ្ជូនបន្តអតិបរិមា (V) | ១.៥ |
| ការម៉ោន | តាមរយៈរន្ធ |
| កម្ពស់កញ្ចប់ | 16.4 (អតិបរមា) |
| ទទឹងកញ្ចប់ | 4.6 (អតិបរមា) |
| ប្រវែងកញ្ចប់ | 10.4 (អតិបរមា) |
| PCB បានផ្លាស់ប្តូរ | 3 |
| ផ្ទាំង | ផ្ទាំង |
| ឈ្មោះកញ្ចប់ស្តង់ដារ | TO |
| កញ្ចប់ផ្គត់ផ្គង់ | TO-220FP |
| ចំនួនម្ជុល | 3 |
| ទម្រង់នាំមុខ | តាមរយៈរន្ធ |
ការណែនាំ
បំពង់បែបផែនវាលគឺមួយ។ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិចប្រើដើម្បីគ្រប់គ្រង និងគ្រប់គ្រងចរន្តនៅក្នុងសៀគ្វីអេឡិចត្រូនិច។វាគឺជា triode តូចមួយដែលមានការកើនឡើងខ្ពស់នាពេលបច្ចុប្បន្ន។Fets ត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងសៀគ្វីអេឡិចត្រូនិចដូចជាឧបករណ៍ពង្រីកថាមពល, សៀគ្វី amplifier, សៀគ្វីតម្រង,សៀគ្វីប្តូរលល។
គោលការណ៍នៃ Field Effect Tube គឺជាឥទ្ធិពលវាល ដែលជាបាតុភូតអគ្គិសនីដែលសំដៅលើវត្ថុធាតុ semiconductor មួយចំនួនដូចជា silicon បន្ទាប់ពីការអនុវត្តវាលអគ្គិសនី សកម្មភាពរបស់អេឡិចត្រុងរបស់វាត្រូវបានធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងយ៉ាងខ្លាំង ដូច្នេះការផ្លាស់ប្តូរចរន្តរបស់វា លក្ខណៈសម្បត្តិ។ដូច្នេះប្រសិនបើអគ្គិសនីវាល c ត្រូវបានអនុវត្តទៅលើផ្ទៃនៃសម្ភារៈ semiconductor លក្ខណៈសម្បត្តិ conductive របស់វាអាចត្រូវបានគ្រប់គ្រង ដើម្បីសម្រេចបាននូវគោលបំណងនៃការគ្រប់គ្រងចរន្ត។
Fets ត្រូវបានបែងចែកទៅជា N-type fets និង P-type Fets ។N-type Fets ត្រូវបានផលិតចេញពីវត្ថុធាតុដើម N-type semiconductor ដែលមានចរន្តបញ្ជូនបន្តខ្ពស់ និងចរន្តបញ្ច្រាសទាប។P-type Fets ត្រូវបានផលិតចេញពីសម្ភារៈ semiconductor ប្រភេទ P ដែលមានចរន្តបញ្ច្រាសខ្ពស់ និងចរន្តបញ្ជូនបន្តទាប។បំពង់បែបផែនវាលដែលមានសមាសភាពនៃបំពង់បែបផែនវាលប្រភេទ N និងបំពង់បែបផែនវាលប្រភេទ P អាចដឹងពីការគ្រប់គ្រងបច្ចុប្បន្ន។
លក្ខណៈពិសេសចម្បងនៃ FET គឺថាវាមានចរន្តខ្ពស់ដែលសមរម្យសម្រាប់សៀគ្វីប្រេកង់ខ្ពស់និងភាពប្រែប្រួលខ្ពស់ហើយមានលក្ខណៈនៃសំលេងរំខានទាបនិងសំលេងរំខានទាប។វាក៏មានគុណសម្បត្តិនៃការប្រើប្រាស់ថាមពលទាប ការសាយភាយកំដៅទាប ស្ថេរភាព និងភាពជឿជាក់ និងជាធាតុគ្រប់គ្រងចរន្តដ៏ល្អ។
Fets ធ្វើការតាមរបៀបស្រដៀងគ្នាទៅនឹង triodes ធម្មតា ប៉ុន្តែជាមួយនឹងការកើនឡើងបច្ចុប្បន្នខ្ពស់ជាង។សៀគ្វីការងាររបស់វាត្រូវបានបែងចែកជាទូទៅជាបីផ្នែកគឺប្រភពបង្ហូរនិងការគ្រប់គ្រង។ប្រភព និងបង្ហូរបង្កើតជាផ្លូវនៃចរន្ត ខណៈបង្គោលត្រួតពិនិត្យលំហូរនៃចរន្ត។នៅពេលដែលវ៉ុលមួយត្រូវបានអនុវត្តទៅបង្គោលត្រួតពិនិត្យលំហូរនៃចរន្តអាចត្រូវបានគ្រប់គ្រងដូច្នេះដើម្បីសម្រេចបាននូវគោលបំណងនៃនិយ័តកម្មចរន្ត។
នៅក្នុងការអនុវត្តជាក់ស្តែង Fets ត្រូវបានគេប្រើជាញឹកញាប់នៅក្នុងសៀគ្វីដែលមានប្រេកង់ខ្ពស់ដូចជា power amplifiers, filter circuits, switching circuits ។ល។នៅក្នុងសៀគ្វីតម្រង បំពង់បែបផែនវាលអាចច្រោះសំលេងរំខាននៅក្នុងសៀគ្វី។នៅក្នុងសៀគ្វីប្តូរ FET អាចដឹងពីមុខងារប្តូរ។
ជាទូទៅ Fets គឺជាសមាសធាតុអេឡិចត្រូនិចដ៏សំខាន់ ហើយត្រូវបានប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងសៀគ្វីអេឡិចត្រូនិច។វាមានលក្ខណៈនៃការទទួលបានចរន្តខ្ពស់ ការប្រើប្រាស់ថាមពលទាប ស្ថេរភាព និងភាពជឿជាក់ និងជាធាតុគ្រប់គ្រងចរន្តដ៏ល្អ
