UC2843BD1013TR IC chip រួមបញ្ចូលគ្នានូវសៀគ្វីអេឡិចត្រូនិច semiconductor ម៉ាកថ្មី និងដើម ទិញមួយកន្លែង

1.LDO ឬនិយតករបោះបង់ការចោលទាប គឺជានិយតករលីនេអ៊ែរទម្លាក់ចុះទាប ដែលប្រើត្រង់ស៊ីស្ទ័រ ឬបំពង់ឥទ្ធិពលវាល (FET) ដែលដំណើរការនៅក្នុងតំបន់តិត្ថិភាពរបស់វា ដើម្បីដកវ៉ុលលើសចេញពីវ៉ុលបញ្ចូលដែលបានអនុវត្ត ដើម្បីបង្កើតវ៉ុលលទ្ធផលដែលបានកំណត់។
ធាតុសំខាន់ៗចំនួនបួនគឺការបោះបង់ការសិក្សា សំលេងរំខាន សមាមាត្រការបដិសេធការផ្គត់ផ្គង់ថាមពល (PSRR) និង quiescent Current Iq ។
សមាសធាតុសំខាន់ៗ៖ សៀគ្វីចាប់ផ្តើម អង្គភាពលំអៀងប្រភពចរន្តថេរ សៀគ្វីបើក ធាតុកែតម្រូវ ប្រភពយោង អំព្លីកំហុស បណ្តាញទប់ទល់មតិត្រឡប់ និងសៀគ្វីការពារ។ល។

2. គោលការណ៍ប្រតិបត្តិការ
សៀគ្វីមូលដ្ឋាន LDO មាននិយតករស៊េរី VT ឧបករណ៍ទប់សំណាក R1 និង R2 និង amplifier ប្រៀបធៀប A
ប្រព័ន្ធត្រូវបានបើកដំណើរការ ប្រសិនបើម្ជុលបើកដំណើរការនៅកម្រិតខ្ពស់ សៀគ្វីចាប់ផ្តើម សៀគ្វីប្រភពបច្ចុប្បន្នថេរផ្តល់នូវភាពលំអៀងដល់សៀគ្វីទាំងមូល វ៉ុលប្រភពយោងត្រូវបានបង្កើតឡើងយ៉ាងឆាប់រហ័ស ហើយវ៉ុលបញ្ចូលដែលមិនមានការគ្រប់គ្រងត្រូវបានប្រើជាវ៉ុល។ នៃការផ្គត់ផ្គង់ថាមពល, វ៉ុលយោងត្រូវបានប្រើជាវ៉ុលបញ្ចូលដំណាក់កាលអវិជ្ជមាននៃអំព្លីកំហុស, បណ្តាញមតិត្រឡប់ resistor បែងចែកវ៉ុលលទ្ធផលនិងទទួលបានវ៉ុលមតិត្រឡប់, វ៉ុលមតិត្រឡប់នេះត្រូវបានបញ្ចូលទៅស្ថានីយទិសដៅដូចគ្នានៃឧបករណ៍ប្រៀបធៀបកំហុស។ និងអវិជ្ជមាន វ៉ុលមតិស្ថាបនានេះត្រូវបានបញ្ចូលទៅផ្នែក isotropic នៃឧបករណ៍ប្រៀបធៀបកំហុស ហើយប្រៀបធៀបជាមួយវ៉ុលយោងអវិជ្ជមាន។ភាពខុសគ្នារវាងវ៉ុលទាំងពីរត្រូវបានពង្រីកដោយ amplifier កំហុសដើម្បីគ្រប់គ្រងច្រកទ្វារដោយផ្ទាល់នៃធាតុកែតម្រូវថាមពល ហើយទិន្នផលរបស់ LDO ត្រូវបានគ្រប់គ្រងដោយការផ្លាស់ប្តូរស្ថានភាព conduction នៃបំពង់លៃតម្រូវពោលគឺ Vout = (R1 + R2)/ R2 × Vref
និយតករលីនេអ៊ែរធ្លាក់ចុះទាបពិតប្រាកដក៏មានមុខងារផ្សេងទៀតដូចជា ការការពារសៀគ្វីខ្លី ការផ្ទុកលើសវ៉ុល ការបិទកំដៅ ការការពារការតភ្ជាប់បញ្ច្រាសជាដើម។

3.គុណសម្បត្តិ គុណវិបត្តិ និងស្ថានភាពបច្ចុប្បន្ន
និយតករលីនេអ៊ែរនៃតង់ស្យុងធ្លាក់ទាប (LDO) មានតម្លៃទាប សំលេងរំខានទាប ចរន្តស្ងាត់ទាប សមាសធាតុខាងក្រៅមួយចំនួន ជាធម្មតាមានតែឧបករណ៍បំប្លែងមួយ ឬពីរប៉ុណ្ណោះ និងមានសំលេងរំខានផ្ទាល់ខ្លួនទាប និងសមាមាត្រការបដិសេធការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលខ្ពស់ (PSRR)។LDO គឺជាប្រព័ន្ធតូចមួយនៅលើបន្ទះឈីប (SoC) ជាមួយនឹងការប្រើប្រាស់ខ្លួនឯងទាបបំផុត។វាអាចត្រូវបានប្រើសម្រាប់ការគ្រប់គ្រងឆានែលសំខាន់នាពេលបច្ចុប្បន្ន និងមានសៀគ្វីផ្នែករឹងរួមបញ្ចូលដូចជា MOSFETs ដែលមានភាពធន់ទ្រាំទាបបំផុតក្នុងបន្ទាត់, Schottky diodes, រេស៊ីស្តង់សំណាក និងការបែងចែកវ៉ុល ក៏ដូចជាការការពារលើសពីចរន្ត ការការពារលើសពីសីតុណ្ហភាព។ ប្រភពសេចក្តីយោងភាពជាក់លាក់ ឧបករណ៍បំពងសំឡេងឌីផេរ៉ង់ស្យែល ឧបករណ៍ពន្យាពេលជាដើម។ PG គឺជាជំនាន់ថ្មីនៃ LDO ជាមួយនឹងការធ្វើតេស្តដោយខ្លួនឯងសម្រាប់ស្ថានភាពទិន្នផលនីមួយៗ និងការពន្យាពេលការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលប្រកបដោយសុវត្ថិភាព ដែលអាចត្រូវបានគេហៅថា Power Good ផងដែរ ពោលគឺ "ថាមពលល្អ ឬថាមពលមានស្ថេរភាព" .LDO ជាច្រើនត្រូវការតែ capacitor មួយនៅ input និងមួយនៅ output សម្រាប់ប្រតិបត្តិការមានស្ថេរភាព។
LDOs ថ្មីអាចសម្រេចបាននូវលក្ខណៈជាក់លាក់ដូចខាងក្រោមៈ សំឡេងបញ្ចេញនៃ 30µV, PSRR នៃ 60dB, ចរន្តស្ងាត់នៃ 6µA និងការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងត្រឹមតែ 100mV ប៉ុណ្ណោះ។ហេតុផលចម្បងសម្រាប់ដំណើរការធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងនៃនិយតករលីនេអ៊ែរ LDO គឺថានិយតករដែលប្រើគឺ P-channel MOSFET ដែលដំណើរការដោយវ៉ុល ហើយមិនត្រូវការចរន្ត កាត់បន្ថយចរន្តប្រើប្រាស់ដោយឧបករណ៍ខ្លួនវា និងការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងឆ្លងកាត់វា។ការធ្លាក់ចុះគឺប្រហែលស្មើនឹងផលិតផលនៃចរន្តទិន្នផល និងការតស៊ូ។ការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងនៅទូទាំង MOSFET គឺទាបណាស់ដោយសារតែភាពធន់ទ្រាំទាបរបស់វា។និយតករលីនេអ៊ែរធម្មតាប្រើត្រង់ស៊ីស្ទ័រ PNP ។នៅក្នុងសៀគ្វីដែលមានត្រង់ស៊ីស្ទ័រ PNP ការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងរវាងការបញ្ចូល និងទិន្នផលមិនត្រូវទាបពេកទេ ដើម្បីការពារកុំឱ្យត្រង់ស៊ីស្ទ័រ PNP ចូលទៅក្នុងតិត្ថិភាព និងកាត់បន្ថយសមត្ថភាពទិន្នផល។