ថ្មី Original LM25118Q1MH/NOPB សៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នា IC REG CTRLR BUCK 20TSSOP Ic Chip LM25118Q1MH/NOPB

1. ការធ្វើសមកាលកម្ម bucking

គុណសម្បត្តិ។

ប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់៖ ភាពធន់ខាងក្នុងនៃបំពង់ mos គឺតូចណាស់ ហើយការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងនៅរដ្ឋគឺតូចជាងការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុង Cosmos ទៅមុខនៃ Diode Schottky ។

គុណវិបត្តិ។

ស្ថេរភាពមិនគ្រប់គ្រាន់៖ ត្រូវការរចនាសៀគ្វីដ្រាយ ហើយជៀសវាងបំពង់ខាងលើ និងខាងក្រោមនៅពេលតែមួយ សៀគ្វីកាន់តែស្មុគស្មាញ ដែលបណ្តាលឱ្យមានស្ថេរភាពមិនគ្រប់គ្រាន់

2. កាក់មិនសមកាលកម្ម

គុណសម្បត្តិ។

ប្រសិទ្ធភាពទាប៖ ការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុង Schottky diode មានទំហំធំ ទាក់ទងទៅនឹងការប្រើប្រាស់ថាមពលដែលបង្កើតដោយ mos tube

គុណវិបត្តិ។

ស្ថេរភាពខ្ពស់: នឹងមិនមានដំណើរការដំណាលគ្នានៃបំពង់ខាងលើនិងខាងក្រោមទេ។

1: PFM (វិធីសាស្ត្រកែប្រែប្រេកង់ជីពចរ)

ការផ្លាស់ប្តូរទទឹងជីពចរគឺជាក់លាក់ ដោយការផ្លាស់ប្តូរប្រេកង់នៃទិន្នផលជីពចរ វ៉ុលលទ្ធផលមានស្ថេរភាព។នៃប្រភេទវត្ថុបញ្ជាមានអត្ថប្រយោជន៍នៃការប្រើប្រាស់ថាមពលទាប ទោះបីជាប្រើប្រាស់ក្នុងរយៈពេលយូរ ជាពិសេសនៅពេលផ្ទុកតូចក៏ដោយ។

2: PWM (ម៉ូឌុលទទឹងជីពចរ)

ប្រភេទវត្ថុបញ្ជា PWM មានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់ និងមានវ៉ុលលទ្ធផលល្អ រំញ័រ និងសំលេងរំខាន។

ដើម្បីសង្ខេប: ជាទូទៅភាពខុសគ្នានៃការអនុវត្តរវាងឧបករណ៍បំប្លែង DC-DC ជាមួយនឹងវិធីសាស្ត្រម៉ូឌុលខុសគ្នាពីរគឺ PFM និង PWM មានដូចខាងក្រោម។

ប្រេកង់ PWM វិធីសាស្ត្រជ្រើសរើសវដ្តកាតព្វកិច្ច PFM ។ប្រភេទការបំប្លែង PWM/PFM ការគ្រប់គ្រង PFM នៅពេលផ្ទុកតូច និងប្តូរដោយស្វ័យប្រវត្តិទៅការគ្រប់គ្រង PWM នៅពេលផ្ទុកធ្ងន់។

3.

តើអ្វីជាភាពខុសគ្នារវាង ICs ជំរុញសមកាលកម្ម និង ICs ជំរុញអសមកាល?

ភាពខុសគ្នាសំខាន់រវាង ICs ជំរុញសមកាលកម្ម និងការជំរុញអសមកាល គឺជាភាពខុសគ្នានៃវិធីសាស្ត្រកែតម្រូវ។

សៀគ្វី IC ជំរុញ synchronous ប្រើ MOS ដោយសារតែបំពង់ MOS មានភាពធន់ទ្រាំខាងក្នុងទាបបំផុតក្នុងស្ថានភាពបើកចំហ ហើយការខាតបង់ក្នុងដំណើរការកែតម្រូវគឺទាបបំផុត ដូច្នេះប្រសិទ្ធភាពនៃការជំរុញ synchronous គឺខ្ពស់ ហើយការបង្កើតកំដៅមានកម្រិតទាប។វាអាចត្រូវបានប្រើសម្រាប់កម្មវិធីបង្កើនថាមពលខ្ពស់។

សៀគ្វី IC ជំរុញអសមកាលប្រើ diodes សម្រាប់ការកែតម្រូវ។Diodes មានការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងប្រសព្វនៅក្នុងដំណើរការកែតម្រូវ។ចរន្តកាន់តែខ្ពស់ក្នុងដំណើរការកែតម្រូវ ការខាតបង់កាន់តែខ្ពស់។ជាធម្មតា ថាមពលមិនអាចមានថាមពលខ្ពស់បានទេ។