BOM Quotation Electronic Components Driver IC Chip IR2103STRPBF

គុណលក្ខណៈផលិតផល

ឯកសារ និងប្រព័ន្ធផ្សព្វផ្សាយ

ចំណាត់ថ្នាក់បរិស្ថាន និងការនាំចេញ

អ្នកបើកបរច្រកទ្វារ

gate driver គឺជា power amplifier ដែលទទួលយកការបញ្ចូលថាមពលទាបពី IC controller ហើយផលិតនូវ drive input បច្ចុប្បន្នខ្ពស់សម្រាប់ gate នៃ transistor ដែលមានថាមពលខ្ពស់ដូចជា IGBT ឬ power MOSFET។កម្មវិធីបញ្ជាច្រកទ្វារអាចត្រូវបានផ្តល់ជូនទាំងនៅលើបន្ទះឈីប ឬជាម៉ូឌុលដាច់ដោយឡែក។សរុបមក អ្នកបើកបរច្រកទ្វារមានឧបករណ៍ផ្លាស់ប្តូរកម្រិត រួមផ្សំជាមួយឧបករណ៍បំពងសំឡេង។កម្មវិធីបញ្ជាច្រកទ្វារ IC បម្រើជាចំណុចប្រទាក់រវាងសញ្ញាបញ្ជា (ឧបករណ៍បញ្ជាឌីជីថល ឬអាណាឡូក) និងកុងតាក់ថាមពល (IGBTs, MOSFETs, SiC MOSFETs និង GaN HEMTs)។ដំណោះស្រាយ gate-driver រួមបញ្ចូលគ្នាជួយកាត់បន្ថយភាពស្មុគស្មាញនៃការរចនា ពេលវេលានៃការអភិវឌ្ឍន៍ វិក័យប័ត្រសម្ភារៈ (BOM) និងទំហំក្តារខណៈពេលដែលធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវភាពជឿជាក់លើដំណោះស្រាយ gate-drive ដែលបានអនុវត្តដោយឡែក។

ប្រវត្តិសាស្ត្រ

នៅឆ្នាំ 1989 ក្រុមហ៊ុន Rectifier អន្តរជាតិ (IR) បានណែនាំផលិតផលកម្មវិធីបញ្ជាច្រកទ្វារ monolithic HVIC ដំបូងបង្អស់ដែលជាបច្ចេកវិទ្យាសៀគ្វីបញ្ចូលវ៉ុលខ្ពស់ (HVIC) ប្រើប្រាស់រចនាសម្ព័ន្ធ monolithic ដែលមានប៉ាតង់ និងកម្មសិទ្ធិដែលរួមបញ្ចូលឧបករណ៍ bipolar, CMOS និង DMOS នៅពេលក្រោយជាមួយនឹងវ៉ុលបំបែកលើសពី 700 V និង 1400 ។ V សម្រាប់ប្រតិបត្តិការវ៉ុលអុហ្វសិតនៃ 600 V និង 1200 V។[2]

ដោយប្រើបច្ចេកវិជ្ជា HVIC ដែលមានសញ្ញាចម្រុះនេះ ទាំងសៀគ្វីផ្លាស់ប្តូរកម្រិតវ៉ុលខ្ពស់ និងសៀគ្វីអាណាឡូក និងឌីជីថលតង់ស្យុងទាបអាចត្រូវបានអនុវត្ត។ជាមួយនឹងសមត្ថភាពក្នុងការដាក់សៀគ្វីតង់ស្យុងខ្ពស់ (នៅក្នុង 'អណ្តូង' ដែលបង្កើតឡើងដោយចិញ្ចៀនប៉ូលីស៊ីលីកុន) ដែលអាច "អណ្តែត" 600 V ឬ 1200 V នៅលើស៊ីលីកុនដូចគ្នាឆ្ងាយពីកន្លែងដែលនៅសល់នៃសៀគ្វីតង់ស្យុងទាប ចំហៀងខ្ពស់ ថាមពល MOSFETs ឬ IGBTs មាននៅក្នុងសៀគ្វីក្រៅបណ្តាញដ៏ពេញនិយមជាច្រើនដូចជា buck, synchronous boost, half-bridge, full-bridge និង three-phase ។កម្មវិធីបញ្ជាច្រកទ្វារ HVIC ដែលមានកុងតាក់អណ្តែតគឺសមល្អសម្រាប់តូប៉ូឡូយដែលតម្រូវឱ្យមានការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធចំហៀងខ្ពស់ ពាក់កណ្តាលស្ពាន និងបីដំណាក់កាល។[3]

គោលបំណង

ផ្ទុយទៅនឹងត្រង់ស៊ីស្ទ័រ bipolar, MOSFETs មិនតម្រូវឱ្យមានការបញ្ចូលថាមពលថេរដរាបណាពួកគេមិនត្រូវបានបើកឬបិទ។ច្រកទ្វារដាច់ស្រយាលនៃ MOSFET បង្កើតបានជា acapacitor(gate capacitor) ដែលត្រូវតែសាក ឬបញ្ចេញរាល់ពេលដែល MOSFET ត្រូវបានបើក ឬបិទ។ដោយសារត្រង់ស៊ីស្ទ័រត្រូវការវ៉ុលច្រកជាក់លាក់មួយដើម្បីបើក កុងទ័រច្រកទ្វារត្រូវតែគិតប្រាក់យ៉ាងហោចណាស់វ៉ុលច្រកទ្វារដែលត្រូវការសម្រាប់ត្រង់ស៊ីស្ទ័រដែលត្រូវបើក។ដូចគ្នានេះដែរ ដើម្បីបិទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ បន្ទុកនេះត្រូវតែរលាយ ពោលគឺ ច្រកទ្វារចូលត្រូវតែបញ្ចេញ។

នៅពេលដែលត្រង់ស៊ីស្ទ័រត្រូវបានបើក ឬបិទ វាមិនប្តូរភ្លាមៗពីស្ថានភាពមិនដំណើរការទៅជា conducting state;ហើយអាចគាំទ្រជាបណ្តោះអាសន្នទាំងតង់ស្យុងខ្ពស់ និងចរន្តខ្ពស់។អាស្រ័យហេតុនេះ នៅពេលដែលចរន្ត gate ត្រូវបានអនុវត្តទៅត្រង់ស៊ីស្ទ័រ ដើម្បីឱ្យវាប្តូរ បរិមាណកំដៅជាក់លាក់មួយត្រូវបានបង្កើត ដែលអាចក្នុងករណីខ្លះ គ្រប់គ្រាន់ដើម្បីបំផ្លាញត្រង់ស៊ីស្ទ័រ។ដូច្នេះ​ត្រូវ​រក្សា​ពេលវេលា​ប្តូរ​ឱ្យ​ខ្លី​តាម​ដែល​អាច​ធ្វើ​ទៅបាន ដើម្បី​កាត់បន្ថយ​ឱ្យ​តិច​បំផុតការផ្លាស់ប្តូរការបាត់បង់[de]ពេលវេលាប្តូរធម្មតាគឺស្ថិតនៅក្នុងចន្លោះមីក្រូវិនាទី។ពេលវេលាប្តូរនៃត្រង់ស៊ីស្ទ័រគឺសមាមាត្រច្រាសទៅនឹងបរិមាណនា​ពេល​បច្ចុប្បន្នប្រើដើម្បីសាកច្រកទ្វារ។ដូច្នេះការផ្លាស់ប្តូរចរន្តត្រូវបានទាមទារជាញឹកញាប់នៅក្នុងជួរជាច្រើនរយមីល្លីមពែរឬសូម្បីតែនៅក្នុងជួរនៃអំពែរ.សម្រាប់វ៉ុលច្រកទ្វារធម្មតាប្រហែល 10-15V ច្រើន។វ៉ាត់ថាមពលអាចត្រូវបានទាមទារដើម្បីជំរុញកុងតាក់។នៅពេលដែលចរន្តធំត្រូវបានប្តូរនៅប្រេកង់ខ្ពស់ឧឧបករណ៍បំលែង DC ទៅ DCឬធំម៉ូទ័រអេឡិចត្រិចជួនកាលត្រង់ស៊ីស្ទ័រច្រើនត្រូវបានផ្តល់ជូនស្របគ្នា ដើម្បីផ្តល់ចរន្តប្តូរខ្ពស់គ្រប់គ្រាន់ និងថាមពលប្តូរ។

សញ្ញាប្តូរសម្រាប់ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ ជាធម្មតាត្រូវបានបង្កើតដោយសៀគ្វីតក្កវិជ្ជា ឬ aឧបករណ៍បញ្ជាមីក្រូដែលផ្តល់សញ្ញាទិន្នផលដែលជាធម្មតាត្រូវបានកំណត់ត្រឹមពីរបីមីលីអំពែរនៃចរន្ត។អាស្រ័យហេតុនេះ ត្រង់ស៊ីស្ទ័រដែលត្រូវបានជំរុញដោយផ្ទាល់ដោយសញ្ញាបែបនេះនឹងប្តូរយឺតខ្លាំងណាស់ ជាមួយនឹងការបាត់បង់ថាមពលខ្ពស់ដែលត្រូវគ្នា។កំឡុងពេលប្តូរ ច្រកទ្វារនៃត្រង់ស៊ីស្ទ័រអាចទាញចរន្តយ៉ាងលឿន ដូច្នេះវាបណ្តាលឱ្យមានចរន្តលើសចំណុះនៅក្នុងសៀគ្វីតក្កវិជ្ជា ឬមីក្រូកុងទ័រ បណ្តាលឱ្យឡើងកំដៅខ្លាំង ដែលនាំឱ្យខូចខាតជាអចិន្ត្រៃយ៍ ឬសូម្បីតែការបំផ្លាញបន្ទះឈីបទាំងស្រុង។ដើម្បីបងា្កររឿងនេះកុំឱ្យកើតមានឡើង កម្មវិធីបញ្ជាច្រកទ្វារត្រូវបានផ្តល់រវាងសញ្ញាទិន្នផលរបស់ microcontroller និងត្រង់ស៊ីស្ទ័រថាមពល។

ម៉ាស៊ីនបូមជាញឹកញាប់ត្រូវបានគេប្រើនៅក្នុងស្ពាន H-Bridgesនៅក្នុងអ្នកបើកបរចំហៀងខ្ពស់សម្រាប់ច្រកទ្វារដែលបើកបរចំហៀងខ្ពស់ n-channelថាមពល MOSFETនិងIGBTs.ឧបករណ៍ទាំងនេះត្រូវបានប្រើប្រាស់ដោយសារតែដំណើរការល្អរបស់ពួកគេ ប៉ុន្តែត្រូវការវ៉ុលដ្រាយច្រកទ្វារពីរបីវ៉ុលពីលើផ្លូវដែក។នៅពេលដែលកណ្តាលនៃស្ពានពាក់កណ្តាលចុះទាប capacitor ត្រូវបានសាកតាមរយៈ diode ហើយការចោទប្រកាន់នេះត្រូវបានប្រើដើម្បីជំរុញច្រកទ្វារ FET ចំហៀងខ្ពស់នៅពេលក្រោយពីរបីវ៉ុលពីលើប្រភពឬវ៉ុលរបស់ pin emitter ដើម្បីបើកវា។យុទ្ធសាស្ត្រនេះដំណើរការល្អ ផ្តល់ការប្តូរស្ពានជាប្រចាំ និងជៀសវាងភាពស្មុគស្មាញនៃការដំណើរការការផ្គត់ផ្គង់ថាមពលដាច់ដោយឡែក និងអនុញ្ញាតឱ្យឧបករណ៍ n-channel ដែលមានប្រសិទ្ធភាពជាងនេះត្រូវប្រើសម្រាប់ទាំងកុងតាក់ខ្ពស់ និងទាប។